碳化硅单晶

碳化硅功率半导体产业链主要包含单晶材料、外延材料、器件、模块和应用这几个环节。

碳化硅单晶是碳化硅功率半导体技术和产业的基础，质量、大尺寸的碳化硅单晶材料是碳化硅技术发展首要解决的问题，持续增大晶圆尺寸、降低缺陷密度（微管、位错、层错等）是其重点发展方向。

碳化硅单晶材料主要有导通型衬底和半绝缘衬底两种, 是第三代半导体材料技术成熟度最高的材料，目前基本被国外企业垄断。
 

高导通型衬底材料是制造碳化硅功率半导体器件的基材。半绝缘衬底具备高电阻的同时可以承受更高的频率，因此在5G通讯和新一代智能互联，传感感应器件上具备广阔的应用空间。

国内主要碳化硅单晶衬底材料企业和研发机构已经具备了成熟的4英寸零微管碳化硅单晶产品，并已经研发出了6英寸单晶样品，但是在晶体材料质量和产业化能力方面距离国际先进水平存在一定差距。

当前，新一轮科技革命与产业变革蓄势待发，全球新材料产业竞争格局正在进行重大调整。未来五年，是产业结构调整、制造业转型升级的关键时期。